広島大学ら、300GHz帯トランシーバーICを開発

　広島大学、情報通信研究機構（NICT）、パナソニックは、シリコンCMOS回路を用いた300GHz帯ワンチップトランシーバーICを共同開発した。80Gビット/秒のデータ伝送が可能となる。

　研究グループはこれまで、シリコンCMOS回路を用いて1チャンネル当たり105Gビット/秒のデータ送信を可能にする送信ICや32Gビット/秒のデータ受信が可能な受信ICを開発してきた。

　今回は、無線通信規格「IEEE Std 802.15.3d」で示された、252GHzから325GHzの周波数チャンネル割り当てに基づき、この中のチャンネル66の周波数帯を用いて、80Gビット/秒の通信速度を可能にするワンチップのトランシーバーICを開発した。

　開発した技術を用いることで、光ファイバーに匹敵する通信能力を無線通信で実現可能となった。しかも、シリコンCMOS回路でワンチップに集積したことで、搭載部品のコスト低減にもつながるとみている。

　研究グループは、300GHz帯無線機の応用として、キオスク端末とモバイル機器間でのデータダウンロード、高精細映像の伝送、機器とサーバ間の無線通信などを想定している。
https://eetimes.jp/ee/articles/1902/19/news009.ht...

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波長1000μってことは、遠赤外線にはいる周波数かな。
0.22×0.49のチップだから、放熱入れても200mWが限界かな。

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