ラピダスが２ナノ半導体の試作に成功

次世代半導体の量産を目指すラピダスは18日、北海道千歳市で２ナノメートル（ナノは10億分の１）半導体の試作に成功したと発表した。世界的にも注目されるこの技術開発はラピダスにとって大きな一歩だが、2027年の量産に向けては依然として課題も残る。

　　技術的に難易度の高い試作を成功させた背景には、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置の迅速な導入があった。小池淳義社長は記者会見で、昨年末の装置搬入から「わずか３カ月でＥＵＶの露光が成功したのは世界に例がない」と振り返った。

　　きょうの会見で東哲郎会長は、「単に10数年遅れた日本が最先端の技術に挑戦しているだけでなく、世界でもまれに見る異例のスピードでここまできていることに世界が非常に驚いている」として、工場の建設を担った鹿島や装置・材料メーカーなど関係者への感謝を述べた。
https://www.bloomberg.co.jp/news/articles/2025-07-18/SZEVZ...

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