東芝、２５６ギガビットの超大容量フラッシュメモリー開発　世界初の３次元４８層プロセスで

　東芝は４日、記憶容量を２５６ギガビットへと超大容量化した４８層のメモリー半導体「３次元フラッシュメモリー」を世界で初めて開発した、と発表した。
９月からサンプル出荷を始め、来年から量産出荷する。

　現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。メモリーカード、スマートフォンなどの小型機器からデータセンター用サーバーのシリコンディスクまで
幅広い用途に供給する。

　三重県の四日市工場第５製造棟で製造を初め、２０１６年前半に完成予定の新第２製造棟でも製造する予定。

　メモリー素子を垂直に積載する３次元メモリーは従来の製造方法よりも記憶容量が大幅に増え、次世代の半導体とされる。情報端末向けに開発競争は激しく
なっており、需要も伸びる見通しだ。
http://www.sankei.com/economy/news/150804/ecn1508040...

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